- 전력·성능·공간비용·출시소요기간 개선 목표

[디지털데일리 김도현 기자] 어플라이드머티어리얼즈가 BE세미컨덕터인더스트리(Besi)와 협력해 다이(Die) 기반 하이브리드 본딩 장비 솔루션을 개발한다고 4일 밝혔다. 해당 제품은 고성능컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 5세대(5G) 이동통신 등 첨단 기술 분야에서 이기종 칩과 하위시스템 설계를 가능하게 하는 새로운 칩 간 연결 기술이다.

최근 반도체 업계는 ‘PPACt(전력·성능·공간비용·출시소요기간)’ 개선을 위한 새로운 방안으로 이기종 설계 및 칩 통합을 모색하고 있다. 양사는 공동 개발 프로그램을 만들고 차세대 칩 간 본딩 기술에 초점을 맞춘 COE(Center of Excellence)를 설립한다.

이 프로그램은 두 회사가 보유한 전공정 및 후공정 전문성을 바탕으로 고객에게 최적화된 통합 하이브리드 본딩 구성과 장비 솔루션을 제공한다. 어플라이드가 지닌 ▲식각 ▲평탄화 ▲증착 ▲웨이퍼 세정 ▲계측, 검사 ▲입자 결함 제어 공정 전문성과 Besi의 ▲다이 배치 ▲인터커넥트 및 조립 솔루션을 결합한다.

니르말리아 마티 어플라이드 고급 패키징 부문 부사장은 “기존 무어의 법칙 스케일링 문제는 반도체 산업 로드맵의 경제성과 속도를 저해하고 있다. Besi와 협업 및 새로운 하이브리드 본딩 COE 설립은 PPACt 개선을 주도할 ‘뉴 플레이북’을 고객에 제공한다는 어플라이드 전략의 핵심 요소”라고 설명했다.

하이브리드 본딩은 직접적인 구리 인터커넥트를 이용해 다이 형태의 다수 ‘칩렛’을 연결한다. 이 기술을 통해 디자이너는 다양한 프로세스 노드와 기술의 칩렛을 물리·전기적으로 더욱 가깝게 위치시켜 거대한 단일 다이로 만들었을 때와 동일하거나 향상된 성능을 제공한다.

COE는 업계 최첨단 웨이퍼 레벨 패키징 연구소 가운데 하나인 어플라이드의 싱가포르 소재 첨단 패키징 개발 센터에 위치한다. COE는 1만7300평방피트 규모 클래스 클린룸에서 웨이퍼 레벨 패키징 장비 풀 라인을 갖추고 이기종 통합을 위한 기초적인 구성요소를 형성한다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr