"TSMC·삼성 잡는다"…인텔, 2024년 1.8나노 반도체 생산
- ‘마더 팩토리’ 美 오리건 D1X 팹 확장
[디지털데일리 김도현 기자] 인텔이 ‘반도체 왕좌’를 되찾기 위해 걸음을 재촉하고 있다. 첨단 공정 경쟁에서 우위를 점해 미래 시장을 선도하겠다는 의지다.
11일(현지시각) 인텔은 이날 미국 오리건주 힐스보로의 최첨단 반도체 공장 ‘모드3’ 오프닝 행사를 열었다고 밝혔다. 모드3는 론러 에이커스 캠퍼스의 D1X 공장을 확장한 연구시설이다. 인텔은 지난 3년간 30억달러(3조7100억원)를 투자했다.
팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 “새롭게 확장하는 D1X는 인텔의 IDM 2.0 전략을 지원하기 위한 공정 로드맵을 제공할 수 있는 역량을 강화할 것”이라며 “오리건주는 인텔 글로벌 반도체 연구개발의 심장”이라고 말했다. 인텔은 공동 창업자 고든 무어가 1965년 발표한 ‘무어의 법칙’을 50년 이상 이끌어온 론러 에이커스 캠퍼스를 ‘고든 무어 파크’로 개명하기도 했다.
새로 준공한 모드3에는 27만제곱미터(㎡) 규모의 클린룸이 들어선다. 차세대 극자외선(EUV) 설비인 ‘하이(High)NA’ 제품을 들이기 위한 공간을 마련하기도 했다. 기존 공장에는 사이즈 문제로 하이NA 장비를 투입할 수 없었다. 하이NA는 기존 EUV 대비 렌즈 및 반사경 크기를 키운 기술이다. 해상력이 0.33에서 0.55로 높아진다. 해상력은 렌즈나 감광 재료가 얼마나 섬세한 묘사가 가능한지를 나타내는 수치다. 인텔은 업계 최초로 도입한다.
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