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로옴-델타전자, 차세대 GaN 반도체 '동맹'

디지털데일리 발행일 2022-04-27 17:45:16
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김도현
- 파워 디바이스 분야 파트너십 체결

[디지털데일리 김도현 기자] 일본 로옴이 대만 델타전자와 손잡는다. 양사는 차세대 질화갈륨(GaN) 반도체 기반 파워 디바이스 개발 및 양산 관련 전략적 파트너십을 체결했다고 27일 밝혔다.

델타가 장기간 축적해온 전원 기술력과 로옴의 파워 디바이스 기술력을 합쳐 전원 시스템에 최적인 600볼트(V) 내압 GaN 파워 디바이스를 공동으로 개발하는 게 골자다.

로옴은 지난 3월에 업계 최고인 8V까지 게이트 내압을 높인 '150V 내압 GaN HEMT' 양산 체제를 구축했다. 기지국, 데이터센터를 비롯한 산업기기 및 각종 사물인터넷(IoT) 통신 기기의 전원 회로용 쓰인다.

로옴 관계자는 “탈탄소 사회의 실현을 위해 로옴의 주력 상품인 파워 반도체 역할은 더욱 커지고 있다” 며 “이번 파트너십을 통해 한차원 높은 고효율 전원 시스템 구축에 기여할 수 있는 GaN 파워 디바이스 양산을 실현하면서 로옴의 우수한 아날로그 집적회로(IC)를 내장한 GaN IPM도 조기에 양산하도록 할 것”이라고 전했다.
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김도현
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