- 그룹 총수부터 경영진까지 기술 경쟁력 강조

[디지털데일리 김도현 기자] 최근 메모리 부문에서 추격을 허용한 삼성전자가 절치부심했다. 차세대 D램 최초 개발에 성공하면서 선두 기업의 존재감을 나타냈다.

21일 삼성전자는 12나노미터(nm)급 공정 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램 개발 및 호환성 검증을 완료했다고 밝혔다.

해당 제품은 10nm급 5세대(1b) D램이다. 여기서 10nm급은 회로 간 선폭을 의미한다. DDR5는 차세대 D램 규격이다.

메모리 시장 1위인 삼성전자는 지난 2년 동안 여러 번 자존심이 상했다. 미국 마이크론이 연이어 세계 최초로 176단 낸드플래시, 4새대(1a) D램 생산 소식을 전했고 SK하이닉스가 최신 고대역폭메모리(HBM) 개발을 마친 영향이다.

우려의 목소리가 커지자 삼성전자는 이례적으로 D램의 선폭을 구체적으로 공개하고 회사의 기술 및 원가경쟁력은 여전함을 수차례 피력하기도 했다.

지난 6월 이재용 삼성전자 회장은 유럽 출장을 다녀온 뒤 ‘기술 삼창’을 할 정도로 기술의 중요성을 강조했다. 같은 맥락에서 삼성전자는 지난 8월 경기 기흥캠퍼스에 차세대 반도체 연구개발(R&D)단지 기공식을 열었다. 이곳에 오는 2028년까지 총 20조원을 투입한다. 삼성전자가 반도체 연구기지를 짓는 것은 지난 2014년 경기 화성캠퍼스 디바이스솔루션리서치(DSR) 설립 이후 8년 만이다.

9월에는 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장 경계현 사장이 목소리를 냈다. 당시 그는 경쟁사와 기술 격차가 줄었다는 평가에 “5~10년 전에는 실질적으로 격차가 많았으나 최근 줄어든 건 사실”이라면서 “예전보다 R&D 투자가 적었던 것 같다. 이유를 알고 있기 때문에 개발 등에 자원을 더 투자해서 격차를 다시 벌릴 것”이라고 언급했다.

이후 얼마 지나지 않은 시점에서 성과가 나타나고 있다.

지난 10월 삼성전자는 HBM-프로세싱 인 메모리(PIM) 솔루션을 확보했고 이를 구현하는데 필요한 소프트웨어 표준화를 끝냈다고 발표했다. HBM은 인공지능(AI), 슈퍼컴퓨터(HPC) 등 초고속 데이터 분석에 활용되는 제품이다. PIM은 메모리 내부에 연산 작업이 가능한 프로세서 기능을 추가한 반도체다. HBM-PIM은 삼성전자가 처음으로 메모리와 AI 프로세서를 결합한 것이다.

11월에는 세계 최고 용량의 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 8세대 수직구조(V) 낸드 양산에 들어갔다고 전했다.

이번 최신 D램 개발로 세계 최초 타이틀을 가져오기도 했다. 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 1b D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “차별화된 공정 기술력을 통해 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 이달 초 2023년 정기 임원인사를 단행했다. 반도체연구소장이던 송재혁 부사장을 사장 겸 최고기술책임자(CTO)로 임명하고 글로벌 제조&인프라총괄 남석우 부사장은 승진하면서 글로벌 제조&인프라총괄 제조담당도 맡게 되는 등 기술과 제조경쟁력을 강화에 초점을 맞췄다.