- SK하이닉스·마이크론 등 아직

[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 차세대 D램을 개발했다. 최선단 공정으로 업계 최초 성과를 냈다.

21일 삼성전자(대표 한종희 경계현)는 12나노미터(nm)급 공정으로 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램 개발한 뒤 AMD와 호환성 검증을 마쳤다고 밝혔다.

삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다. 양산 시점은 내년이다.

해당 제품은 10nm급 5세대(1b) D램이다. 여기서 10nm급은 회로 간 선폭을 의미한다. 삼성전자의 5세대는 12.0nm, 경쟁사는 12.Xnm로 추정된다. SK하이닉스는 내년 상반기 생산, 마이크론은 미정이다. 앞서 마이크론은 모바일용 1b D램을 연내 양산하기로 했으나 일정을 미룬 바 있다.

삼성전자에 따르면 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 설계 등을 통해 최선단 공정을 완성했다.

멀티레이어 극자외선(EUV) 노광 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 참고로 4세대(1a) D램에서는 5개 레이어에 EUV가 도입된 바 있다. 1b D램도 유사한 것으로 전해진다.

이에 따라 1b D램은 전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 차세대 D램 규격인 DDR5 적용했고 최대 동작속도 7.2기가비피에스(Gbps)를 지원한다. 1초에 30기가바이트(GB) 용량 초고화질(UHD) 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 아울러 전작보다 소비 전력이 약 23% 개선되기도 했다.

삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 1b D램 라인업을 확대해 나갈 계획이다. 데이터센터, 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 1b D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “차별화된 공정 기술력을 통해 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 강조했다.

AMD 조 매크리 최고기술책임자(CTO)는 “기술의 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다”며 “AMD ‘젠’ 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다”고 말했다.

한편 올해 상반기에는 삼성전자가 1b D램을 건너뛰고 6세대(1c) D램 개발을 진행할 것이라는 소문이 돌았다. 이번 개발 소식으로 잘못된 사실임이 증명됐다.