[디지털데일리 김도현 기자] 반도체 장비사 예스티가 고대역폭 메모리(HBM) 분야에 뛰어든다. 기존 가압설비 스펙과 성능을 높여 HBM용 제품으로 최적화하는 것이 목표다.

25일 예스티는 자체 온도 및 압력제어 관련 특허기술을 활용해 인공지능(AI) 반도체 HBM 고도화를 위한 장비 개발을 진행 중이라고 발표했다.

회사에 따르면 HBM 필수 단계인 언더필 공정에 사용되는 차세대 웨이퍼 가압장비를 준비 중이다.

예스티는 지난 2011년 국내 최초로 웨이퍼 가압장비를 개발한 바 있다. 현재 가압 열처리 장치, 공정처리용 챔버 장치, 반도체 부품용 듀얼 챔버장치 등 가압 부문에서 9개 특허기술을 보유 중이다.

HBM은 여러 개 D램을 수직으로 쌓은 뒤 연결해 데이터 처리 용량과 속도를 일반 D램 대비 10배 이상 높인 첨단 반도체다. HBM을 생산하기 위해서는 ▲적층된 칩을 수직으로 관통하는 TSV(Through Silicon Via) 공정 ▲칩과 칩을 접착하는 본딩 공정 ▲본딩 후 사이 공간을 절연수지로 채우고 경화하는 언더필 공정이 핵심으로 꼽힌다.

이중 언더필 공정은 적층된 칩을 외부 환경으로부터 보호할 뿐 아니라 다층 적층에 따른 뒤틀림(Warpage도 방지해 HBM 성능을 유지하도록 한다. 웨이퍼 가압장비는 언더필 공정에서 칩과 칩 사이의 공간에 기포 등 불순물을 없애고 절연수지를 균일하게 경화시키는 역할을 한다.

예스티 관계자는 “이미 국내 반도체 기업들에 12인치(300mm) 사각챔버 웨이퍼 가압장비 등을 칩 패키징, 웨이퍼레벨패키징(WLP), 패널레벨패키징(Panel) 등 다양한 공정에 총 납품한 바 있다”라며 “웨이퍼 가압장비는 고객이 HBM을 개발할 단계부터 공정 설비로 사용해 HBM 개발 및 양산에 기여한 레퍼런스가 있다”고 설명했다.