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머크, "EUV 단계 줄이는 DSA 기술 상당수 진전…도전과제 일부 극복"

디지털데일리 발행일 2024-02-02 11:49:54
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배태용 기자
머크 기자 간담회 현장.
머크 기자 간담회 현장.

[디지털데일리 배태용 기자] 머크가 차세대 패터닝 기술인 유도자기조립 (DSA) 개발이 "상당수 진전됐다"라고 소개했다.

머크는 2일 서울 삼성동에서 열린 기자간담회에서 머크의 반도체 헤더 아난드 남비어 수석부사장은 "DSA는 반도체 제조 공정에서 리소그래피 단계를 줄이거나 생략할 수 있는 혁신적인 기술로, 극자외선 (EUV) 리소그래피 공정에서 발생하는 오류를 개선할 수 있다"라고 전했다.

남비어 부사장은 "DSA는 몇 년에 걸쳐 개발해 온 기술로, 리소그래피 단계에서 보안적인 솔루션을 제공하는 것이 목적"이라며 "EUV 같은 경우 EUV 소유 비용이 매우 많이 들기 때문에 고객들이 현재 단계를 개선하기 위해 노력 중이다"고 말했다.

그는 "DSA를 적용하면 EUV 단계를 두 단계를 없애줄 수 있다"라며 "이러한 솔루션은 매우 유의미한 것이다"라고 강조했다. 그러면서 "DSA를 통해 웨이퍼의 패턴을 개선하고, 소유 비용을 절감할 수 있다"라며 "DSA의 주요 도전 과제인 결합률, 프로세싱 등을 극복했으며, 새로운 테크놀로지를 검토하고 있다"라고 설명했다.

아울러 그는 "DSA가 향후 10년 이내에 필수적인 테크놀로지가 될 것"이라고 전망했다.

그는 "25나노미터 이하의 공정에서 DSA의 적용 가능성을 연구하고 있으며, SPIE(국제광공학회)쪽에서 DSA의 현황에 관해 이야기할 것이다"라며 "DSA의 개발과 논의를 위해 국내 기업과 협력 중이며, 이외에도 다른 기업과도 협력 중"이라고 덧붙였다.

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