[반차장보고서] HBM 자신감 '뿜뿜' 삼성전자…SK하이닉스 美 패키징 공장 '투자'
반도체⋅부품 관련 정책 동향과 현장의 목소리를 전달하기 위해 한 주 동안 열심히 달린 <소부장반차장>이 지난 이슈의 의미를 되새기고자 차주의 새로운 동향을 연결해 보고자 주간 보고서를 올립니다. <반차장보고서>를 통해 한 주를 정리해보시길 바랍니다.
SK하이닉스, 美 인디애나주 패키징 공장 투자 공식 발표…2028년 하반기 가동
지난 2022년 미국에 반도체 투자를 약속했던 최태원 SK그룹 회장의 언급이 현실이 됐다. SK하이닉스가 미국에 메모리반도체용 패키징 공장을 건설하겠다고 공식 발표하면서다. 회사는 38억7000만달러(약 5조2000억원)을 투자해 2028년 하반기부터 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 패키징 제품을 내놓을 방침이다.
회사는 4일 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 인공지능(AI) 메모리용 첨단 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀 대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발(R&D)에 협력하기로 했다고 4일 밝혔다. 이와 관련 3일(현지시간) 퍼듀대와 인디애나주, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열었다.
SK하이닉스 측은 "인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정"이라며 "당사는 이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라고 밝혔다. 아울러 "인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 덧붙였다.
SK하이닉스는 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정한 후 최적의 부지를 물색해왔다. 미국은 AI 분야 빅테크 고객사가 집중돼 있으며, 첨단 후공장 분야 기술 연구도 활발히 진행되는 핵심 권역이다. 회사는 주정부가 투자 유치에 적극 나선 것은 물론, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부한 점을 고려해 인디애나주를 최종 투자지로 선정했다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 높은 평가를 받았다.
SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체 및 자선단체의 활동도 지원할 예정이다. 계획된 국내 투자도 차질 없이 추진한다. 회사가 120조 원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. 회사는 이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공하고, 소부장 생태계를 강화하기 위한 미니팹도 건설할 계획이다.
경계현 삼성전자 DS 부문장 "HBM 리더십 우리에게로…마하-1 관심 증가"
삼성전자 경계현 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)이 29일 사회관계망서비스(SNS)를 통해 "전담팀의 노력으로 고대역폭 메모리(HBM)의 리더십이 우리에게로 오고 있다"라고 말했다.
그는 최근 미국 출장 소회를 밝힌 데 이어 "AI 애플리케이션에서 고용량 HBM은 경쟁력"이라며 "HBM3와 HBM3E 12H(12단)를 고객이 더 찾는 이유"라고 강조했다.
이어 "여전히 메모리와 컴퓨트 사이의 트래픽이 병목"이라며 "많은 고객이 이 문제를 풀기 위해 각자만의 방식으로 커스텀 HBM4를 개발하고 싶어 한다. 그리고 고객들은 우리와 함께 그 일을 할 것"이라고 낙관했다.
그러면서 경 사장은 "로직 파워를 줄이고 성능을 높여야 다양한 응용에서 AI의 지능을 키울 수 있다"라며 "고객들이 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around) 2나노를 원하는 이유"라고 설명했다.
또 "많은 고객이 파운드리 2나노 공정을 위한 테스트 칩을 흘리고 있거나 흘리기로 했다"며 "성공적인 기술 개발을 통해 이들이 2나노 제품 개발로 이어지도록 할 것"이라고 말했다.
지난 20일 주주총회를 통해 공개한 자체 AI 가속기 '마하-1'도 언급했다. 경 사장은 "추론 전용인 마하-1에 대한 고객의 관심 또한 증가하고 있다"라며 "일부 고객은 1T 파라미터 이상의 큰 애플리케이션에 마하를 쓰고 싶어한다"고 말했다.
한미반도체, '듀얼 TC 본더 타이거' 출시…"글로벌 고객 맞춤형 HBM 적층 장비"
한미반도체가 HBM(고대역폭메모리) 필수 공정 장비인 '듀얼 TC 본더 타이거 (DUAL TC BONDER TIGER)'를 출시했다고 1일 발표했다.
TC 본더 타이거는 한미반도체의 글로벌 주요 반도체 고객 사양에 맞춰 최신 기술이 적용한 모델이다. TSV 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 적층하는 본딩 장비다.
곽동신 한미반도체 부회장은 "현재 AI 반도체 핵심인 HBM 생산용 듀얼 TC 본더는 하이퍼 모델인 그리핀과 프리미엄 모델인 드래곤이 고객의 니즈와 사양에 맞춰 판매되고 있는데 이번 엑스트라 모델인 타이거의 추가로 올해 매출이 더욱 크게 증가할 것으로 예상된다"고 언급했다.
한미반도체는 2002년 지적재산부를 창설한 후 현재 10여 명의 전문인력으로 구성된 전담부서를 통해 지적재산권 보호와 강화에 주력하고 있다. 지금까지 총 110건 이상의 HBM 장비 특허를 출원했으며 이를 바탕으로 독보적인 기술력과 내구성으로 우위를 점하고 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 전망된다.
메모리 반등 마지막 퍼즐 '서버'...하반기 개선 가능성 [소부장반차장]
AI(인공지능) 시대가 열리며 반도체 시장 업황 개선 기대감이 커지고 있지만, 아직 완연한 봄은 오지 않고 있다는 평가가 주를 이룬다. HBM(고대역폭메모리) 등 고부가가치 메모리 중심으로 수요는 폭증했지만, 서버용 메모리는 완전히 개선됐다고 보기는 어려워서다. 다만 올해는 서버 업체들의 교체 주기 도래 등 영향으로 수요가 늘어날 수 있다는 전망이 나온다.
1일 관련 업계에 따르면, 올해 들어 메모리 업황이 빠르게 개선되고 있다. 지난해 메모리 업황 악화에 따라 돌입했던 감산 효과가 올해 들어 효과를 나타내고 있는 데다 생성형 AI, 온디바이스 AI 시장이 본격적으로 열리며 관련 수요가 폭증하고 있어서다.
문제는 AI향 메모리 수요만 폭증하고 있는 것이다. 시장조사업체 트랜스포스는 올해 D램 매출은 842억 달러로 추산, 518억원을 기록했던 전년 대비 38.5% 늘어날 것으로 추산했는데, 이 중심엔 HBM의 역할이 주효한 것으로 나타났다. 올해 전체 D램 중 HBM 비중은 20%다. 2022년 2.6%를 기록했던 것을 고려하면 17.4% 증가한 것이다.
서버용 메모리는 D램 매출의 40% 이상을 담당하는 최대 시장이다. 낸드도 고성능 저장장치인 SSD(솔리드스테이트드라이브) 시장이 급격히 성장하며 주요 먹거리로 부상하고 있다.
하지만 최근에는 크게 위축됐다. 주요 클라우드서비스(CSP) 업체들이 경기 침체 여파로 신규 투자를 줄인 데다, AI 시장이 전격 개화하면서 당초 계획했던 투자 자금도 AI로 돌리는 등 행보를 이어가서다. 코로나19 기간 동안 서버 업체들이 투자에 나선 결과, 쌓인 재고를 처리하기 어려운 점도 또 하나의 요인이다.
업계에선 완전한 메모리 업턴을 위해선 서버향 메모리의 수요 확대가 중요하다고 말한다. 한 업계 관계자는 "HBM 등 AI향 메모리 수요가 증가하고 있음에도 주요 메모리 업체들의 주가 등이 반등하지 않는 이유는 일반 메모리, 서버 메모리 등이 애매하기 때문이다"라며 "다른 분야에서도 반등이 시작되는 것이 업황 개선의 핵심이 될 것"이라고 설명했다.
"하이 NA EUV 패터닝 결함 잡는다"…수율 높이는 어플라이드 '솔루션 3종'
반도체 장비 기업 어플라이드 머티어리얼즈는 4일 반도체 칩의 패터닝 요구사항 해결을 위해 설계된 제품 및 솔루션 포트폴리오를 발표했다.
최근 반도체 제조사들이 2나노미터(nm) 이하 노드 공정으로 전환하면서 반도체 업계는 반도체 소자를 옹스트롬(Angstrom, 1A=0.1nm) 급으로 구분하는 시대를 맞이하고 있다.
2nm이하 노드 공정으로 전환하면서 EUV 및 하이 NA EUV 도입을 추진하고 있는데, 다만 여기엔 에지 러플니스(roughness), 팁간격 (tip-to-tip spacing) 제한, 브릿지 결함, 에지 배치 오류 등 문제가 자주 발생한다.
이날 어플라이드 머티어리얼즈는 공개한 패터닝 제품 포트폴리오는 이러한 문제를 해결할 수 있는 재료 공학 및 계측 기술들로 ▲패너닝 시스템 '센튜라 스컬프타(Centura Sculpta)' ▲ 식각 시스템 'Sym3 Y 매그넘(Magnum)' ▲ 패터닝 필름 '프로듀서 XP 파이오니어 CVD(Producer XP Pioneer CVD)' 등이다.
이들 솔루션은 반도체 공정에서 CVD(화학기상증착)와 ALD(원자층증착), 4종 재료 제거(식각, 선택적 제거, 패터닝, CMP), 열 공정, 전자빔 계측 등 각각의 팹 상황에 따라 다양하게 적용할 수 있다.
어플라이드 관계자는 "첨단 반도체 기술의 당면 과제 해결을 위해 고객 및 파트너와 협업해 센튜라 스컬프타 패터닝 시스템 외에도 다양한 재료공학 혁신 기술을 개발하고 있다"라며 "EUV와 하이 NA EUV를 통해 생산된 칩을 보완 및 개선하는 새로운 식각, 증착, 계측 솔루션을 선보일 예정이다"라고 설명했다.
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