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삼성전자, 20나노급 D램 양산 개시… 반도체 독주 체제 굳힌다

디지털데일리 발행일 2011-09-22 09:40:23
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한주엽 기자
[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인을 본격 가동한다. 아울러 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작했다.

삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산’ 행사를 개최한다고 밝혔다.

지난 해 5월 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB 반도체 제조공장) 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.

올 2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다. 이 달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했다. 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.

삼성전자는 이와 함께 20나노급 2Gb D램의 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다. 20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다. 20나노급 D램을 양산하는 것은 삼성전자가 세계 최초다.

삼성전자는 올해 말 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다.

한편 이 날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석한다.

마이크로소프트 스티브 발머 CEO, HTC 셰어 왕 회장, DELL 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 영상 메시지를 보내 16라인 가동과 20나노급 D램 양산을 축하한다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr
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