<삼성전자 갤럭시S3에 장착된 소니 CMOS 이미지 센서>

[디지털데일리 이수환기자] 소니가 CMOS 이미지 센서(CIS) 생산량을 늘리기 위해 300mm 웨이퍼를 적극적으로 도입한다. 이와 함께 적층 기술을 도입한 CIS를 통해 스마트폰·태블릿 시장에서의 영향력을 더욱 공고히 하겠다는 계획이다.

이미 소니는 지난 2010년 CIS와 CCD 생산 확대를 위해 12억 달러를 투자하겠다고 밝힌바 있다. 올해 6월에도 2013년 9월까지 10억 달러를 추가로 투입하겠다고 발표했다. 4월 취임한 히라이 가즈오 최고경영자(CEO)가 소니를 디지털이미징, 게임, 모바일 마켓 등 3가지 핵심 사업에 집중하기로 하면서 투자에 가속도가 붙는 모양새다.

24일 관련 업계에 따르면 소니는 300mm 웨이퍼 증산과 적층 CIS 양산에 박차를 가할 것으로 알려졌다.

현재 소니는 구마모토 반도체 기술 센터(TEC)와 나가사키 TEC 제3공장에서 300mm 웨이퍼를 생산하고 있다. 200mm 웨이퍼를 도입한 나가사키 TEC 제1공장과 가고시마 TEC의 생산량은 올해 3월 이후 더 이상 늘리지 않는다. 대신 나가사키 TEC 제2공장의 웨이퍼를 200mm에서 300mm로 전환할 계획이다.

예정대로 진행된다면 300mm 웨이퍼 생산량은 현재 월 5만장에서 2013년 9월에는 월 7만5000장으로 확대된다. 2010년 12월 기준으로 300mm 웨이퍼 생산량이 월 2만5000장에 그쳤다는 점을 고려했을 때 3년 여만에 생산능력을 3배나 높인 셈이다.

소니는 적층 CIS도 적극적으로 도입할 예정이다. 기존의 CIS는 지지기판과 픽셀 섹션, 서킷 섹션 등 3개의 층(레이어)으로 이루어져 있다. 소니가 지난 21일 발표한 ‘엑스모어 RS’ CIS의 경우 지지기판 대신 서킷 섹션과 픽셀 섹션으로만 구성되어 있다. 외부의 빛을 받아들이는 화소 영역과 이를 전기적인 신호로 바꿔주는 회로 영역을 하나로 합쳤다고 보면 된다.

적층 CIS에는 다른 반도체와 마찬가지로 ‘실리콘 관통 전극(TSV)’ 기술이 사용됐다. 웨이퍼에 수직으로 관통하는 전극을 만들어 승강기처럼 데이터를 전달하게 하고 반도체를 올리는 고난위도 기술이다.

TSV는 패키지 위해 패키지를 쌓는 ‘패키지 온 패키지(PoP)’보다 진화된 적층 기술이다. 국내에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 메모리를 TSV로 구현한바 있다. CIS에서는 소니가 세계 최초다.

업계 관계자는 “소니 CIS는 삼성전자와 애플 스마트폰에 널리 쓰이고 있어 스마트 기기 시장이 늘어날수록 소니의 300mm 웨이퍼 증산은 당연한 결과”라며 “최근 발표한 엑스모어 RS의 경우 두께가 얇고 크기가 작아 스마트폰과 태블릿 소형화에 큰 도움이 될 것”이라고 전망했다.

한편 시장조사업체 IHS아이서플라이에 따르면 전 세계 이미지 센서 시장 규모는 2010년 80억2600만 달러에서 2011년 96억4100만 달러, 올해의 경우 13.8%가 늘어난 109억7400만 달러로 성장할 것으로 전망된다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr