[디지털데일리 한주엽기자] 올해 D램 업계의 시설투자(Capex) 규모가 2010년 이후 최대치를 기록할 것이라는 관측 자료가 나왔다. 수요가 공급을 뛰어넘는 상황이 펼쳐지자 주요 메모리 업체들이 투자를 늘린 것으로 보인다. 다만 투자액 대부분이 선폭 축소를 위한 보완투자에 사용됐고, 20나노대에선 선폭이 한 세대 줄어도 웨이퍼 한 장에서 뽑아낼 수 있는 칩(Die) 수 증가량이 과거처럼 많지 않아 올해의 투자가 내년 공급과잉 상황으로 이어지진 않을 것이라고 전문가들은 진단했다.

8일 시장조사업체 IHS아이서플라이의 최근 전망 자료에 따르면 올해 D램 업계의 시설투자액 총액은 98억7000만달러(약 11조316억원)로 지난해(65억1500만달러) 대비 51.4% 증가할 것으로 예상됐다. 이 같은 시설투자액은 지난 2010년(110억8500만달러) 이후 최고치다. 업체별 D램 시설투자 예상액은 삼성전자가 45억달러로 가장 많고 SK하이닉스가 26억달러, 마이크론(엘피다 포함) 16억달러, 이노테라가 7억2500만달러로 그 뒤를 이었다. 전년 대비 시설투자액 증가율은 이노테라(237.2%), 마이크론(128.5%), 삼성전자(50%), SK하이닉스(44.4%) 순일 것으로 나타났다.

아직 주요 업체들의 시설투자가 끝나지 않아 실제 수치는 달라질 수도 있다. 그러나 2010년 이후 최대치를 기록할 것이라는 ‘증가 추이’는 변함이 없을 것으로 보인다.

D램 업계는 그간 호황(공급부족)일 때 시설투자를 늘리고 불황(공급과잉)일 때 허리띠를 졸라맸다. 투자를 늘리면 불황이 왔고, 허리띠를 졸라매면 호황이 찾아왔다. 이 같은 ‘실리콘 사이클’은 과거 수십년간 계속됐다. 실제 2010년 D램 업계가 110억달러가 넘는 시설투자를 단행하자 2011년과 2012년 D램 업계의 평균 영업이익률은 각각 -2.5%, -9.5%로 떨어졌다고 IHS아이서플라이는 설명했다. 전문가들은 그러나 최근 D램 업계에선 시설투자액 만으론 이듬해 시장 상황을 가늠키가 어렵다고 설명한다. 20나노대에선 회로선폭이 한 세대(2x→2y→2z) 줄어들 때 웨이퍼당 칩 수 증가량이 과거(40~60%)와는 달리 20%대에 그치기 때문이다. 20나노대에선 노광을 여러 차례 수행하는 다(多) 패터닝 공정 도입이 필수이므로 증착 및 식각 등 도입 장비 수도 늘려야 한다. 이는 투자액 상승을 야기한다. 다 패터닝 공정 도입 시 공간을 더 잡아먹으므로 생산라인의 총 생산용량(웨이퍼 투입량)이 줄어드는 부정적 효과도 있다.

이 때문에 IHS아이서플라이는 올해 D램 업계의 시설투자액이 3년 만에 최대치를 기록할 것으로 예상함에도 불구, 올해와 내년의 비트그로스(BitGrowth)를 각각 29%, 25%로 낮게 예상했다. 비트그로스는 비트(bit) 단위로 환산한 생산량 증가율을 뜻한다. 메모리는 칩당 용량이 달라 전체 성장률을 추산할 때 이 같은 비트 성장률 단위를 사용하고 있다. 그해 비트그로스가 45~50% 수준에 이르면 이듬해 업계의 영업이익률이 마이너스를 기록하지만, 20%대라면 ‘호황’ 상태를 유지한다는 것이 전문가들의 설명이다.

업계 관계자는 “올해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 비트그로스 예상치가 20% 후반에서 30% 초반인 만큼 내년까지는 D램 업계의 호황이 이어질 것으로 보인다”며 “2016년 공급상황은 내년 주요 업체의 투자 계획과 비트그로스 전망치를 봐야 윤곽이 드러날 것”이라고 말했다. 그는 “D램 투자가 늘어나고 있는 것은 사실”이라고 덧붙였다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr