삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 권오현 윤부근 신종균)는 29일 SAP와 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발을 위한 ‘공동 리서치센터’를 내달부터 운영한다고 밝혔다. 인메모리는 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량의 데이터를 저장해 처리 속도를 크게 향상시키는 기술을 말한다.

삼성전자와 SAP는 경기도 화성시 삼성전자 부품연구동(DSR)에서 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장과 SAP 아시아 태평양 지역 어데어 폭스 마틴 회장 등이 참석한 가운데 공동 리서치센터 개소식을 가졌다.

메모리 시장 1위인 삼성전자와 기업용 소프트웨어 분야의 선도 기업인 SAP가 2015년 인메모리 플랫폼 SAP HANA의 공동 기술 개발에 합의하면서 삼성전자 메모리사업부와 SAP HANA 개발 조직인 ‘SAP 랩스 코리아’ 사이의 협업을 통해 리서치센터 설립이 추진됐다.

이를 위해 지난 6월 양사는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 ‘차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)’을 체결하는 등 공동 리서치센터 운영 준비에 박차를 가해 왔다.

양사는 글로벌 고객이 SAP HANA를 도입하기 전, 리서치센터에서 시험 운용 등 제반 지원을 통해 고객에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또한 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행될 예정이다.

특히20나노 D램 기반 128GB 3DS(3 Dimensional Stacking, 3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB급의 인메모리 플랫폼 SAP HANA를 구현한 바 있다. 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 됐다”며 “향후 기술 리더십을 더욱 강화해 초고용량 메모리 시대를 지속 주도해 나갈 것”이라고 강조했다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com