[디지털데일리 김도현기자] 삼성전자가 6세대(1xx단) V낸드 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 양산했다. 세계 최초다.

6일 삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 ‘6세대 256기가비트(Gb) 3비트 V낸드’를 기반의 기업용 PC SSD를 양산, 글로벌 PC 업체에 공급했다고 밝혔다.

삼성전자는 “이번 제품은 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정으로 만들었다”며 “속도?생산성?절전 특성을 동시에 향상해 제품 경쟁력을 확보했다”고 말했다.

삼성전자는 글로벌 고객 수요 확대에 맞춰 다양한 용량과 규격의 제품을 출시할 방침이다. 올해 하반기 올해 하반기 512Gb 3비트 V낸드 기반 SSD와 eUFS(embedded Universal Flash Storage) 등이 나올 예정이다.

삼성전자는 피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF(Charge Trap Flash) 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용했다. 아울러 채널 홀 에칭 기술로 5세대 V낸드보다 단수를 약 1.4배나 높였다. 이 기술은 레이저 및 에칭 물질을 사용, 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 것이다.

6세대 V낸드의 경우 전기가 통하는 몰드층을 136단 쌓은 후, 미세한 원통형의 구멍을 단번에 뚫었다. 이를 통해 균일한 특성의 3차원 CTF셀을 만들 수 있게 됐다. 삼성전자는 “일반적으로 적층 단수가 높아질수록 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어렵다”면서 “전자의 이동경로도 길어져 낸드의 동작 오류가 증가한다”고 설명했다.

이번 제품은 전 세대 보다 10% 이상 성능을 높이고, 동작 전압을 15% 이상 줄였다. 6억7000만개 미만의 채널 홀로 256Gb 용량을 구현하기도 했다. 이는 5세대 V낸드 대비 생산성을 20% 이상 향상시킨 것이다.

삼성전자는 “6세대 V낸드는 단일공정을 적용, 세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있어 제품 개발 주기를 더 단축할 수 있다”고 언급했다. 향후 삼성전자는 모바일 시장 선점은 물론 서버 시장, 자동차 시장까지 V낸드 사업 영역을 계속 넓힐 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 솔루션 개발실장 경계현 부사장은 “초고난도 3차원 메모리 양산 기술 확보로 속도와 전력 효율을 더욱 높인 메모리 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “향후 초고속 초고용량 SSD시장을 빠르게 확대시켜 나갈 것”이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 오는 2020년부터 평택 V낸드 전용 라인에서 6세대 V낸드 기반 SSD 라인업을 본격적으로 확대할 예정이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr