- 자금 투입 2배 확장…전기차 시장 확대 등으로 SiC 웨이퍼 증설

[디지털데일리 김도현 기자] SK실트론이 차세대 웨이퍼 사업을 강화한다. 투자 규모를 2배로 늘리는 등 선제 대응에 나선다.

10일 SK실트론 미국 자회사 SK실트론CSS는 미국 상무부에 제출한 자료를 통해 향후 5년 동안 실리콘카바이드(SiC) 분야에 6억달러(약 7000억원)를 투자하겠다고 밝혔다.

SiC 웨이퍼는 실리콘(Si)과 탄소(C)를 높은 온도로 가열해 제조한 인공 화합물인 탄화규소로 만든다. Si 웨이퍼 대비 전력 변환 손실이 적어 전기차 등에 적합한 제품이다. 최근 전방산업 활성화로 SiC 웨이퍼 수요가 급증하는 추세다.

SK실트론은 작년 미국 듀폰 SiC 웨이퍼 사업부를 인수해 시장에 진출했다. 관련 사업은 자회사 SK실트론CSS가 담당한다. 현재 듀폰의 미국 미시간주 연구시설과 공장을 그대로 사용하고 있다.

지난 7월에는 3억달러(약 3500억원) 투자를 발표했다. 당시 SK실트론CSS 둥젠웨이 최고경영자(CEO)는 “향후 3년간 미시간주 인력을 2배 이상 충원하고 14만제곱미터(㎡) 규모 부지를 증설할 것”이라고 말했다.

기존 사업장 인근 지역에서 공사가 진행 중이다. 이번에 언급한 금액은 지난번 투자금을 포함한 수치다. 자금 규모를 2배로 확대한 셈이다.

SK실트론CSS는 당장 SiC 웨이퍼 공급 부족 이슈는 없지만 향후 수요 대응 차원에서 추가 투자를 결정하게 됐다고 설명했다. 주요 제조시설 리드타임(주문부터 납품까지 소요 기간)이 최대 2년인 만큼 선제적으로 움직이겠다는 의도다.

한편 SK실트론은 충북 청주 사업장에 Si 웨이퍼 생산라인을 구축하기로 했다. SK하이닉스시스템아이씨가 쓰던 공장을 개조해서 사용하게 된다. 해당 라인에서는 12인치(300mm) 에피텍셜(Epitaxial) 웨이퍼를 생산할 계획이다. 생산능력은 월 3만장 내외로 내년 하반기 가동 예정이다. 이미지센서를 생산하는 SK하이닉스에 공급할 것으로 예상된다.