- 작년 인수 이후 R&D 지속…고객사와 계약 논의 중

[디지털데일리 김도현 기자] SK실트론이 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 사업에 속도를 낸다. 내년 흑자 전환이 목표다. 기존 실리콘(Si) 웨이퍼는 생산능력(캐파) 확대를 준비 중이다.

7일 업계에 따르면 SK실트론의 SiC 부문은 올해까지 적자를 기록할 전망이다. 내년 반등이 예상된다.

SK실트론은 작년 2월 미국 듀폰 SiC 웨이퍼 사업부를 인수했다. SiC는 Si와 탄소(C)를 높은 온도로 가열해 제조한 인공 화합물인 탄화규소로 제작한다. Si 대비 전력 변환 손실이 10분의 1 수준이다. 경도는 9.3으로 다이아몬드(경도 10)와 비슷하다. 전기차(EV)와 5세대(5G) 이동통신 등에 사용하는 전력반도체용 웨이퍼로 주목을 받고 있다.

듀폰이 SiC 기술력과 제조시설을 보유하고 있었으나 상업적으로 활용하는데 부족한 점이 많았다. SK실트론은 인수 이후 연구개발(R&D)과 공장 효율성 증대 등에 집중했다.

최근 고객사들과 SiC 웨이퍼 장기계약을 논의 중인 것으로 전해진다. 기존 고객사 스위스 ST마이크로일렉트로닉스와 독일 인피니언 등이 대상이다. 과거보다 수배 많은 물량을 요청했다는 후문이다. SiC 활용도가 높아지는 만큼 추가 거래 성사도 기대된다. SK실트론은 2022년 말을 기점으로 SiC 관련 수익이 본격화할 것으로 보고 있다.

동시에 Si 웨이퍼 분야는 캐파를 늘린다. 전 세계적인 반도체 공급난으로 원재료 수요가 넘치는 영향이다. 업계에서는 글로벌 반도체 제조사의 12인치(300mm) 웨이퍼 평균 재고가 작년 초 1.6개월분에서 올해 초 1.3개월분까지 축소한 것으로 추정한다. 이에 웨이퍼 시장 1~2위 일본 신에츠와 섬코는 신공장 설립을 검토한다고 밝혔다.

당초 보수적으로 접근했던 SK실트론도 전략을 변경했다. 공장 가동률이 ▲2019년 94.4% ▲2020년 98.5% ▲2021년 1분기 99.4%로 꾸준히 상승하면서 생산량 확대가 불가피했다.

SK실트론은 전력관리반도체(PMIC) 이미지센서 마이크로프로세서(MPU) 등에 쓰이는 에피텍셜(Epitaxial) 웨이퍼 캐파를 증대한다. 기존 Si 제품에 단일 결정의 반도체 박막층 ‘에피’를 증착하면 에피텍셜 웨이퍼가 된다.

SK하이닉스의 청주 공장 일부 유휴공간을 활용하는 방안을 고려하고 있다. 추가되는 캐파는 월 2~3만장 수준이다. 이르면 연내 작업을 시작해 내년 하반기 양산에 돌입할 전망이다.

한편 SK실트론은 차세대 웨이퍼로 불리는 질화갈륨(GaN) 분야도 R&D를 진행 중이다. GaN 웨이퍼는 고온과 고전압에서 작동이 가능한 제품으로 5G 통신장비 및 고속충전기 등에 적합하다. 현재 산업통상자원부의 국책과제를 수행하고 있다.