[디지털데일리 배태용 기자] 박명재 SK하이닉스 HBM개발 담당 부사장은 HBM(고대역폭메모리) 1위 결실은 철저한 노력의 산물이라고 강조했다. 최근 경쟁사 HBM 전담팀이 SK하이닉스로 넘어와 기술을 개발했다는 루머에 대해선 '큰 상처'가 됐다고 소회를 밝혔다.

27일 SK하이닉스 뉴스룸은 HBM설계 담당 박명재 부사장과 만나 HBM의 성공 스토리를 전했다. SK하이닉스의 HBM이 처음 세상에 나온 건 2013년 12월의 일이다. 그보다 앞선 2009년, 고성능 메모리 수요가 증가할 것으로 내다본 회사는 이를 구현할 기술로 TSV에 주목했고, 4년여의 개발 끝에 2013년 세계 최초로 TSV에 기반한 1세대 HBM을 내놓는다.

하지만 SK하이닉스가 HBM으로 주목받기까지는 이후로도 많이 세월이 흘러야 했다. 2010년대에는 당시로선 필요 이상으로 속도가 빠르고 용량이 큰 HBM을 받아들일 만큼 컴퓨팅 시장이 성숙하지 못했기 때문이다. 이러다 보니 회사가 2세대 제품인 HBM2를 개발하는 데 난항을 겪었던 시기에는 HBM에 대한 우려의 목소리가 나오기도 했다. 박명재 부사장은 당시를 '위기 속에서 기회를 발견한 시기'라고 표현했다.

그는 "2010년대 중후반 HBM 사업에 대한 우려가 커지면서 업계에서는 비관론이 쏟아졌다"라며 "하지만 우리는 HBM이 SK하이닉스 고유의 기술력을 보여줄 기회이며, 최고의 제품만 개발하면 이를 활용할 서비스는 자연스레 생길 것이라고 확신했다. 이것이 HBM2E를 비롯해 후속 제품들의 개발을 밀고 나가는 원동력이 됐다"라고 회상했다.

2020년대 초반, 시장에서는 메모리 업체 간 HBM3 주도권 경쟁이 치열해질 것으로 예상했지만, 결과는 예상 밖으로 흘러갔다. 공격적인 기술 개발 및 투자를 지속해 온 SK하이닉스가 1위 굳히기에 성공한 것이다. 이후 회사는 세계 최고 용량 12단 HBM3를 개발한 지 4개월 만인 2023년 8월 HBM3E를 공개하며 제품이 시장에 나오기까지 걸리는 시간(Time to Market)을 획기적으로 단축했다.

이에 대해 박 부사장은 "설계 검증의 혁신을 거듭하면서 제품 설계 완성도를 높이고, 개발 및 양산 초기부터 고객사와 협력하는 등 많은 노력을 기울였다"라며 "그 결과 올해 3월, HBM3E 양산에 이어 고객에게 가장 먼저 제품을 공급할 수 있었다"라고 말했다.

박 부사장은 이 같은 성공의 비결은 '성능, 품질, 시장 대응력'임을 강조했다. 그는 "당사 고유의 MR-MUF 기술은 고성능으로 인한 발열을 가장 안정적으로 줄여 세계 최고 성능 구현에 기여했다"라며 "게다가 우리 회사는 준수한 품질의 제품을 대량 생산하는 능력도 빠르게 갖췄다"라고 설명했다.

박 부사장은 얼마 전 HBM 개발과 관련돼 항간에 돌았던 루머에 대해 '사실무근'이라고 명확히 짚으면서 앞으로도 경쟁 우위를 확고히 지켜가겠다는 의지를 다졌다.

그는 "경쟁사의 HBM팀이 당사로 넘어와 기술을 개발했다는, 사실무근의 루머가 있었다. 온전히 우리 힘으로 기술 개발을 해낸 당사 구성원들로서는 자존심에 상처를 받을 수밖에 없었다"라며 "SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술이며, 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다"라고 선을 그었다.

끝으로, 박 부사장은 HBM 외의 차세대 AI 기술에 대한 자신감과 함께 미래 포부를 밝혔다. 그는 "HBM뿐 아니라 CXL, PIM, 3D D램 등 다양한 AI 메모리 기술이 앞으로 새로운 기회를 창출할 것이며, 회사는 이러한 차세대 AI 메모리 분야에서도 선도 지위를 지킬 준비가 돼 있다"라고 강조했다.