- LPDDR5X·HBM3 등 지원

[디지털데일리 김도현 기자] 반도체 설계자산(IP) 전문업체 오픈엣지테크놀로지(대표 이성현)가 7나노미터(nm·10억분의 1m) 공정을 적용한 물리계층(PHY) 집적회로(IP) 테스트 칩(반도체 시제품)을 개발했다고 6일 밝혔다. 차세대 메모리 제품인 로우파워더블데이터레이트(LPDDR)5X, 고대역폭 메모리(HBM)3 등 표준을 지원한다.

이번에 선행 개발한 최고 속도 8533메가비피에스(Mbps) LPDDR5X용 메모리 표준을 지원하는 7nm 테스트 칩은 오픈엣지가 세계 최초로 선보였다. LPDDR5X 이전 메모리 표준과의 호환도 가능해 최종고객의 D램 선택 폭도 넓혔다.

회사는 독자적인 스케줄링 알고리즘에 따라 시스템온칩(SoC)과 D램 간 고속 데이터 통신을 제어하는 오픈엣지의 DDR 메모리 컨트롤러 IP 제품과 시너지로 저전력 DDR 시스템에서 차별화된 성능을 제공할 수 있게 됐다.

LPDDR5X는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 LPDDR D램 규격 중 가장 최신이다. 중앙집중 서버가 모든 데이터를 처리하는 클라우드 컴퓨팅과 달리 분산된 엣지 환경에서 실시간으로 처리하는 엣지 컴퓨팅 용도로 전력 소모 및 처리 속도를 최적화한 것이 특징이다.

또한 오픈엣지는 최신 표준 중 하나인 8.4Gbps HBM3 표준을 지원하는 PHY IP 테스트 칩도 개발했다. HBM3는 탁월한 데이터 처리 속도 및 성능을 통해 슈퍼 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 및 빅데이터 등을 빠르게 처리할 수 있어 주목받는 메모리 표준이다.

기존 D램 표준 대비 설계 단계부터 전체 시스템 수준에서의 정밀한 개발과 높은 기술력이 요구돼 상용화가 쉽지 않았다. 기존 보유 중인 메모리 컨트롤러 IP와의 효과적인 최적화를 통해 큰 폭의 성능 개선을 이뤄냈다.

이성현 오픈엣지 대표는 “이번 두 제품은 시장의 요구에 앞서 개발됐고 최고 속도도 구현했다”며 “속도뿐만 아니라 방대한 데이터도 신속하게 처리할 수 있는 고성능 테스트 칩 개발 등을 통해 세계 시장에서 입지를 확장할 것”이라고 강조했다.