- 세계 최초 성과…16GB에서 24GB로 확장
- 고객사 샘플 제공…하반기 양산 예정

[디지털데일리 김도현 기자] SK하이닉스가 현존 최고 성능 D램인 고대역폭 메모리(HBM)3 기술력 강화에 나선다. 반도체 불황 속 기술 투자를 이어가겠다는 회사의 의지를 재차 드러냈다.

20일 SK하이닉스는 업계 최초로 D램 단품 12개를 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB) HBM3 신제품을 개발했다고 발표했다. 기존에는 16GB HBM3(D램 단품 8개 적층)가 최대치였다. 현재 고객사로부터 성능 검증을 받고 있는 단계다.

HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발되고 있다.

최신 규격인 HBM3의 경우 대량 데이터를 빠르게 처리하는데 특화된 메모리로 평가받는다. 생성형 인공지능(AI) 등 분야 성장에 따라 빅테크 기업 수요가 점차 확대되는 분위기다.

SK하이닉스는 “지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다”며 “최근 AI 챗봇 산업이 확대되면서 늘어난 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라고 설명했다.

회사 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under-fill)와 TSV(Through Silicon Via) 기술을 적용했다.

어드밴스드 MR-MUF를 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고 TSV를 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이를 구현한 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 다수의 글로벌 고객사에 24GB HBM3 샘플을 제공한 상태다. 회사에 따르면 고객 반응은 긍정적이다.

홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 “세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발할 수 있었다”며 “상반기 내 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 할 것”이라고 말했다.

한편 MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 일컫는다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적인 공정이다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 첨단 패키징 기술이다.