- 칩엑스 2023서 3나노 공정 등 최신 기술 소개

- 2027년, 2019년 대비 고객 5배 이상 확보 목표

[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 반도체 위탁생산(파운드리) 고객 유치에 나선다. 첨단 공정 기술력을 내세워 거래처 확장을 노리고 있다.

11일 삼성전자는 지난 9일(현지시각) 이스라엘 텔아비브 컨벤션 센터에서 열린 ‘칩엑스(ChipEx) 2023’에 참가했다고 발표했다.

칩엑스는 이스라엘 ASG(Advanced Systems Group)가 2009년부터 매년 개최하는 행사다. 이를 통해 주요 반도체 기업과 석학들이 반도체 산업 동향과 발전 방향을 공유한다.

이스라엘에는 9000개 이상 스타트업이 존재한다. ‘스타트업 천국’으로 불릴 정도다. 이러한 경쟁력을 바탕으로 미국 나스닥 상장사 가운데 이스라엘 회사는 미국과 중국 다음으로 많다. 그만큼 이스라엘 내 파운드리 잠재 고객이 즐비하다는 의미다.

올해는 삼성전자를 비롯해 애플, AMD, IBM, 마벨테크놀로지, 미디어텍 등 글로벌 대형 반도체 설계(팹리스) 기업이 기조연설을 진행했다.

이날 정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 모바일, 고성능 컴퓨팅(HPC), 스마트카 등 주요 응용처 시장 전망과 회사의 혁신 기술을 소개하면서 미래 청사진을 제시했다.

그는 “파운드리 산업은 더욱 에너지 효율이 높은 컴퓨팅 기기를 위한 기술을 개발해야 한다는 과제에 당면하고 있다”며 “와트당 더 높은 성능을 제공하는 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터, 멀티 다이 인테그레이션, 저전력·저지연 메모리 솔루션 등이 열쇠”라고 밝혔다.

정 부사장은 특히 GAA를 강조했다. GAA는 삼성전자가 세계 최초로 도입한 트랜지스터 방식이다. 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿은 면을 4개(기존 핀펫(FinFET)은 3면)로 늘린 구조다. 많이 닿을수록 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있는 것이 특징이다.

아울러 삼성전자는 채널을 와이어 형태에서 긴 모양의 나노시트로 변경하기도 했다. MBC(Multi Bridge Channel)FET이라고 부르는 기술로 이를 통해 게이트와 채널이 닿는 면적을 재차 확장했다. 삼성전자는 지난해 세계 최초 상용화한 3나노미터(nm) 공정에 MBCFET을 도입했다.

정 부사장은 “MBCFET은 나노시트 너비를 특성에 맞체 조절할 수 있어 높은 설계 유연성을 가진다”고 언급했다.

이번 행사에서 삼성전자는 응용처별로 특화된 파운드리 생산 기술과 3나노 GAA 기술력을 소개하는 부스도 마련해 비즈니스 기회 확대하기 위한 활동을 이어갔다.

삼성전자는 다음달부터 미국을 시작으로 한국, 중국, 일본, 독일 등에서 ‘삼성 파운드리 포럼’과 ‘SAFE 포럼’도 연다. 매년 삼성전자가 파운드리 고객에 전반적인 로드맵을 공유하는 프로그램이다.

현재 삼성전자는 2024년 양산 목표로 3nm 2세대 공정을 개발하고 있다. 최근 실적 컨퍼런스콜에서 “고객들이 삼성전자 GAA 3nm 기술을 이용해 테스트칩을 생산 중”이라고 이야기한 바 있다.

일련의 과정을 통해 삼성전자는 2027년에 2019년 대비 고객사를 5배 이상 확보하겠다는 심산이다. 현실화하면 800곳에 가까운 회사들과 협력하게 된다.