로옴, 650V 내압 GaN HEMT 소형 및 고방열 TOLL 패키지 개발

반도체

디지털데일리 발행일 2025-02-05 11:40:36

고성현 기자

GaN HEMT 소형·고방열 TOLL 패키지 'GNP2070TD-Z' [ⓒ로옴]

[디지털데일리 고성현 기자] 로옴(ROHM, 마츠모토 이사오)이 650V 내압 질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT)의 TO-LeadLess(TOLL) 패키지 제품 'GNP2070TD-Z' 양산을 개시했다고 5일 밝혔다.

로옴이 출시한 신제품은 TOLL 패키지에 제2세대 실리콘 기반 GaN칩을 탑재했다. TOLL 패키지는 소형, 고방열 특성과 전류 용량·스위칭 특성이 우수해 산업·자동차 등 대전력 대응의 요구에 적합한 패키지다.

로옴은 지난 2023년 4월 650V 내압의 제1세대 GaN HEMT를 양산하고 같은 해 7월에 게이트 드라이버와 650V 내압 GaN HEMT를 1패키지에 집약한 파워 스테이지 IC를 양산한 바 있다. 이번 신제품은 한차원 높은 고효율화에 대응하기 위해 기존 DFN8080패키지에 추가하는 형태로 패키지 라인업을 강화했고, TOLL 패키지에 제2세대 소자를 탑재해 제품화했다.

로옴은 신제품이 ON 저항과 입력 용량 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표에서 업계 최고 수준의 수치를 실현했다고 설명했다. 이에 따라 고내압 및 고속 스위칭이 요구되는 전원 시스템의 소형화와 저전력화에 기여할 것으로 기대되고 있다.

한편 회사는 작년 12월부터 전공정은 대만 TSMC에, 후공정은 중국 ATX에 맡기며 본격적인 신제품 양산에 나섰다. 특히 ATX와는 오토모티브용 GaN 칩 생산에서도 협업을 예정하고 있다.

후지타니 사토시 로옴 AP 생산본부 본부장은 "로옴의 650V GaN HEMT의 TOLL 패키지 제품을 만족할 수 있는 성능으로 생산할 수 있게 돼 매우 기쁘게 생각한다"며 "앞으로도 GaN 디바이스의 성능 향상을 통해 다양한 어플리케이션의 소형화 및 고효율화를 추진, 인류의 풍요로운 생활에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.

고성현 기자

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